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型号 SI7983DP-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC
SI7983DP-T1-E3 PDF
代理商 SI7983DP-T1-E3
产品目录绘图 8-SOIC Mosfet Package
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 17 毫欧 @ 12A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 600µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 74nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1666 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7983DP-T1-E3TR
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